隨著近幾年互聯(lián)網內容爆發(fā)性地增長，互聯(lián)網內容創(chuàng)作者逐步從曾今的“不務正業(yè)”，到現(xiàn)在的如日中天。隨著越來越多的人加入其中，他們的需求也越來越受到重視。

針對創(chuàng)作者需求開發(fā)的產品如雨后春筍一般層出不窮，十銓更是夸張，專為這一需求開創(chuàng)了一個全新的品牌“T-CREATE”。

這次給各位開箱的，就是這個T-CREATE之下的子系列產品：開創(chuàng)者M.2 SSD 1TB。

這種類似SD卡的包裝，雖然之前有見過內存使用過，但是被用在SSD上，我真的還是第一次見到。

撕開包裝，可以看到里面還藏了一張品牌的logo貼紙。

產品表面貼附了一片銀色的鋁制散熱片。

標準的M.2 2280規(guī)格，支持PCIe 3.0*4 NVME。雖然沒有自家風暴女神或是海王星速度那么頂，2100MB/s的讀取速度，1700MB/s的寫入速度，對創(chuàng)作者來說也算是夠用了。

表面的鋁制散熱片是那種比較軟的，所以沒有特殊需求強烈建議不要扒拉它，真的很容易掰變形，并且貼的非常緊，同時擅自撕掉散熱也會影響保修，不過為了讓大家看看它內部情況，拼了~

SSD由4顆3D TLC NAND閃存芯片組成，單顆256G容量。閃存芯片上的完整料號和品牌名稱都為十銓的信息，雖然并非原廠封裝，但是十銓敢給5年質保顆粒質量還是可以讓人放心的。

主控方面采用了慧榮SM2263XT，SM2263XT是具備無DRAM緩存的HMB解決方案的主控，所以這款SSD很有可能是支持HMB的，待會兒上機為給為測試一下。不過從這個速度和主控方案來看，我猜測這款SSD的顆粒很有可能是Intel的3D NAND TLC顆粒。

十銓還為這款SSD配備了LDPC：線性循環(huán)最新糾錯技術。除了高度復雜性糾錯能力外 ，這種糾錯技術更適合高速通信或高密度NAND閃存產品，還可以有效提高固態(tài)硬盤的使用壽命 。

啥時候主板上的M.2.接口能和Sata接口一樣多就好了。我的主板只有2個M.2.口，一個盤裝系統(tǒng)，一個盤裝游戲。沒有M.2接口，就只能通過轉接卡來轉接PCI-E接口來使用，我使用的是綠聯(lián)的單盤位轉接卡。雖然是轉接使用，但NVME硬盤其實走的也是PCI-E通道，所以在速度上沒有損失。

性能方面，TxBENCH成績：順序讀取速度2155MB/s。寫入速度1732MB/s，隨機讀寫分別為976MB/s 和 1604MB/s，4k QD1隨機讀寫速度分別為47MB/s和175MB/s，4k QD32隨機讀寫速度分別為388MB/s和292MB/s。這個結果相比更為常見的SN550，除了在順序速度上輸了一些，在隨機讀寫性能上，表現(xiàn)反而要比SN550更有優(yōu)勢。

AS SSD Benchmark成績。

在ATTO Disk Benchmark的讀寫性能測試中，SN550需要文件大小達到256KB時才可以發(fā)揮最佳性能，開創(chuàng)者只需要文件達到128KB就可以發(fā)揮最佳性能，碎片文件處理能力相對更強一點。

有一個專用的硬盤測試，是模擬用戶日常使用時的狀態(tài)的綜合性測試，為了方便各位能很好的感受其日常的使用的效果，開創(chuàng)者得分1401。

實際應用測試，拷貝了一個48G的超大文件到十銓開創(chuàng)者1TB中（上圖），雖然開創(chuàng)者沒有緩存，但是借助剛剛提到的HMB技術，全程一直穩(wěn)定保持在1.5+GB/s的傳輸速度。持續(xù)的高速寫入能夠方便創(chuàng)作者快速拷貝素材，雖然我知道HMB可以提高寫入速度，但是能讓SSD在寫入這么大文件時還能保持在這么高速度上真的是出乎我的意料。要知道我之前使用SN550 1TB寫入同一個文件在寫到一半的時候會掉速到800MB/s。

這款十銓創(chuàng)作者-開創(chuàng)者M.2 SSD 1TB 固態(tài)硬盤，連續(xù)穩(wěn)定且高速的連續(xù)讀寫性能，讓它非常適合作為素材編輯的緩存盤來使用。加上不弱的隨機讀寫性能，其實用來做為游戲倉儲盤也是個十分不錯的選擇。